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　　雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅,是由NPNPN五層半導體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構(gòu)造是對稱的（都從N層引出）,所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,而是把與控制極相近的叫做第一電極A1,另一個叫做第二電極A2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向?qū)�通結(jié)束時,硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態(tài)的位置,必須采取相應(yīng)的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機調(diào)速和換向等電路。
　　單向可控硅和雙向可控硅,都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極（G）。
　　1、單、雙向可控硅的判別：先任測兩個極,若正、反測指針均不動（R×1擋）,可能是A、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。
　　2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流�。�。然后瞬時斷開A極再接通,指針應(yīng)退回∞位置,則表明可控硅良好。
　　對于1~6A雙向可控硅,紅筆接T1極,黑筆同時接G、T2極,在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）。然后將兩筆對調(diào),重復上述步驟測一次,指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓（或電流）小。
　　若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞�？砂磮D2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。
　　對于雙向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,重復上述步驟,均應(yīng)是同一結(jié)果,才說明是好的。否則說明該器件已損壞。

　　可控硅導通條件：一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態(tài)。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。
　　可控硅關(guān)斷條件：降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于最小維持電流以下。

　　對可控硅的引腳區(qū)分,有的可從外形封裝加以判別,如外殼就為陽極,陰極引線比控制極引線長。從外形無法判斷的可控硅,可用萬用表R×100或R×1K擋,測量可控硅任意兩管腳間的正反向電阻,當萬用表指示低阻值（幾百歐至幾千歐的范圍）時,黑表筆所接的是控制極G,紅表筆所接的是陰極C,余下的一只管腳為陽極A。

　　可控硅質(zhì)量好壞的判別可以從四個方面進行。第一是三個PN結(jié)應(yīng)完好；第二是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷,不導通；第三是當控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通；第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應(yīng)當導通,把控制極電流去掉,仍處于導通狀態(tài)。
　　用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對前三個方面的好壞進行判斷。具體方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻（控制極不接電壓）,此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。
　　用R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很?#8221;礱骺煽毓杌鞔┒搪貳?/FONT>
　　用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
　　萬用表選電阻R×1擋,將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明該單向可控硅已擊穿損壞。

　　單向可控硅為具有三個 PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu),由最外層的 P 層、N 層引出兩個電極——陽 極 A 和陰極 K,由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極——控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。
　　從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管與一只 NPN 三極管的連接電路, 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路,具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流,由于正反饋作用,兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)�？煽毓鑼�通之后,它的導通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持,即使控制電流（電壓）消失,可控硅仍處于導通 狀態(tài)。控制信號 UGK 的作用僅僅是觸發(fā)可控硅使其導通,導通之后,控制信號便失去控制 作用。
　　單向可控硅的導通需要兩個條件：
　　1 、A、K 之間加正向電壓；
　　2 、G、K 之間輸入一個正向觸發(fā)電流信號,無論是直流或脈沖信號。
　　若欲使可控硅關(guān)斷,也有兩個關(guān)斷條件：
　　1 、使正向?qū)�通電流值小于其工作維持電流值；
　　2 、使 A、K 之間電壓反向。
　　可見,可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發(fā)信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態(tài)。除非將電源開斷一次,才能使其關(guān)斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發(fā)信號,則一直保持導通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關(guān)斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發(fā)信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態(tài)。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流值與導通壓降,很難有統(tǒng)一的標 1 準�？煽毓杵骷�控制本質(zhì)上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發(fā)電流也 越大。觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V—3V 左右,觸發(fā)電流為 10mA—幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過 10V,峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1—2V。