高壓陶瓷電容

1F=1000000μF
1μF=1000nF=1000000pF
電容的符號:
電容的符號同樣分為國內(nèi)標表示法和國際電子符號表示法,但電容符號在國內(nèi)和國際表示都差不多,唯一的區(qū)別就是在有極性電容上,國內(nèi)的是一個空筐下面一根橫線,而國際的就是普通電容加一個"+"符號代表正極。
高壓瓷片電容只要針對于高頻,高壓瓷片電容取決于使用在什么場合,典型作用可以消除高頻干擾。
在大功率、高壓領域使用的高壓陶瓷電容器,要求具有小型、高耐壓和頻率特性好等特點。近年來隨著材料、電極和制造技術的進步,高壓陶瓷電容器的發(fā)展有長足的進展,并取得廣泛應用。高壓陶瓷電容器已成為大功率高壓電子產(chǎn)品不可缺少的元件之一。
高壓陶瓷電容器的用途主要分為送電、配電系統(tǒng)的電力設備和處理脈沖能量的設備。
因為電力系統(tǒng)的特殊性:交流電壓高,高頻,處于室外環(huán)境中(-40度到+60度),雷擊電壓/電流大,等等各種因素,造成了高壓陶瓷電容器在研發(fā)和生產(chǎn)中一直處于困境:環(huán)境的惡劣,要求電容具有超強的穩(wěn)定性,即變化率要小;同時,計量,儲能,分壓等產(chǎn)品要求高精密度,這對處于這種環(huán)境下的高壓陶瓷電容器的局放,即局部放電量有著極為苛刻的要求:局放為零。
1、容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性
2、特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性
3、高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu) .
差別
高壓陶瓷電容和高壓瓷片電容的特點對比:
高壓陶瓷電容的特點
1、不需要認證
2、超高壓可以達到7KV 在高就罕見了,
3、打印方式和Y電容比不用把各國認證打在產(chǎn)品表面,
4、電壓最低可以到16V
5、耐壓最高2.5倍 一般生產(chǎn)是1.5倍的標準測
高壓瓷片電容特點:常用于高壓場合。
陶瓷有I類瓷,II類瓷,III類瓷之分,
I類瓷,NP0,溫度特性,頻率特性和電壓特性佳,因介電常數(shù)不高,所以容量做不大;
II類瓷,X7R次之,溫度特性和電壓特性較好;
III類瓷,介電常數(shù)高,所以容量可以做很大,但溫度特性和電壓特性不太好。
瓷片電容器一般體積不大。
另外,再強調(diào)一個重要特點:瓷介電容器擊穿后,往往呈短路狀態(tài)。(這是它的弱點)
一、直插的高壓陶瓷電容器,俗稱DIP類的,這類產(chǎn)品從16VDC到100KV都有生產(chǎn),但是主要是指直流的,而且是引線型的。
二、直插型的陶瓷電容器有另類,就是交流陶瓷電容器,一般指250VAC的Y2安規(guī)電容器,以及400VAC的Y1交流安規(guī)電容器。從名稱上顯而易見,這類電容的電壓是指交流電壓,而且是有十個左右的國家的安全認證的。陶安規(guī)電容器之外,別的引線型陶瓷電容器所說的電壓一般是指直流而言。
三、貼片陶瓷電容,俗稱SMD類的,這種電容的規(guī)格一般以0201,0402,0603,0805,1206,1210等表示。。貼片電容英文簡寫是MLCC,電壓從6.3VDC到2KV以上都有,當然,電壓越高,價格也越不菲。
四、螺栓型高壓陶瓷電容器。這類電容器一般耐超高電壓,在電力系統(tǒng)中往往是指交流電壓。如40KV102K,40KV103K,40KV153K等,型號很多種,但是里邊的電壓并不是直流。因為我們家里,或工廠企業(yè)所用的電都是交流電啊!這類電容器的技術含量是相當高的,往往是很多企業(yè)能做出這種形狀,卻始終沒辦法做出客人要求的品質(zhì),原因是:首先這類產(chǎn)品要求較高的交流電壓,而大多數(shù)廠所標的是直流電壓,所以,在送樣階段就被淘汰了;其次,這類高壓陶瓷電容器要求超低的局放,局部放電量越大,電容的實際耐壓值就越低,因此,局放是衡量一顆電容的質(zhì)量的最好標準;再次,超高的工頻,一般的引線型的電容也要以做到袍高的工頻,而這種螺栓型的就更高要求。最后,這類電容對材質(zhì)要求很嚴格,因為不同材質(zhì)的損耗和溫度系數(shù),介電系數(shù)不一樣。
那么,要想恢復芯片的構(gòu)造,穩(wěn)固芯片的特性,高壓陶瓷電容需要時間恢復。自然恢復(常溫存放)以60天以上的時間為佳。而且,存放一年與存放兩年的產(chǎn)品,以時間長為表現(xiàn)優(yōu)異。所以,恢復期長,對電容器的性能是有很大幫助的,沒有恢復期的電容,其耐壓及耐電流性能是較差的。經(jīng)試驗發(fā)現(xiàn),存放時間長的高壓陶瓷電容器,其損耗角值會變得更小,高頻特性也會更好。
高壓薄膜類電容器與高壓陶瓷電容器的各自優(yōu)劣,主要是以下幾點:
1、高壓陶瓷電容的使用壽命更長。薄膜電容的壽命也就是三兩年,電好的產(chǎn)品也不會超出5年。而高壓陶瓷電容器則不同,比方說帝科電容就公開承諾:按20年設計,至少保證使用10年。
2、高壓陶瓷電容的內(nèi)阻更小。這是由各自的構(gòu)造特點決定的。高壓陶瓷電容器的內(nèi)阻很小,而薄膜電容器由于是采取卷繞方式,這樣就造成內(nèi)阻偏大。而這種偏大的內(nèi)阻帶來的另一負面影響就是,電容在反復充放電的過程中,內(nèi)阻會繼續(xù)變大,并且會在一定時候使電容在電路中失效。
3、相對而言高壓陶瓷電容器的電壓更高。薄膜電容器的電容相對來講,工作電壓是不如陶瓷電容的高,這是共識;
4、有優(yōu)點也會有缺點,陶瓷電容的容量較小。
1、串聯(lián)電阻測試,絕緣電阻測試;
2、拉力測試,即引線與芯片焊接的牢固度;
3、正負溫變化率測試,即-40度到+60度狀況下,電容的變化率;
4、老化測試,高壓陶瓷電容在模擬工作環(huán)境狀態(tài)下運作30~60天,測試其衰減其各項參數(shù)的變化;
5、耐壓實驗,包括額定工作電壓24小時工作測試;也包括擊穿耐壓,即破壞性測試,電容被擊穿前的那一個臨界電壓就是擊穿電壓。
6、局放測試,即局部放電測試;
7、壽命測試,即在老化測試的基礎上,再對電容進行高頻沖電流下快速充放電測試,得到的充放電次數(shù)就是充放電壽命,注意,這個壽命的得出是在長時間的老化之后得出的。
在交流電路或紋波電流電路中使用直流額定電壓電容器時,請務必將外加電壓的Vp-p值或包含直流偏置電壓的Vo-p值維持在額定電壓范圍內(nèi)。
若向電路施加電壓,開始或停止時可能會因諧振或切換產(chǎn)生暫時的異常電壓.請務必使用額定電壓范圍包含這些異常電壓的電容器。
二、工作溫度和自生熱
(適用于B/E/F特性)
電容器的表面溫度應保持在其額定工作溫度范圍的上限以下。務必考慮到電容器的自生熱.電容器在高頻電流,沖激電流等中使用時可能會因介電損耗發(fā)出自生熱。外加電壓應使自生熱等負荷在25℃周圍溫度條件下不超過20℃范圍,測量時應使用0.1mm小熱容量的(K)的熱電偶,而且電容器不應受到其它元件的散熱或周圍溫度波動影響。
過熱可能會導致電容器特性及可靠性下降.(切勿在冷卻風扇運轉(zhuǎn)時進行測量.否則無法確保測量數(shù)據(jù)的精確性)
三、耐電壓的測試條件
(1)測試設備
交流耐電壓的測試設備應具有能夠產(chǎn)生類似于50/60Hz正弦波的性能。
如果施加變形的正弦波或超過規(guī)定電壓值的過載電壓,則可能會導致故障。
(2)電壓外加方法
施加耐電壓時,電容器的引線或端子應與耐電壓測試設備的輸出端連接牢固;然后再將電壓從近零增加到測試電壓。
如果測試電壓不從近零逐漸提高而是直接施加在電容器上,則施加時應包含過零點*.測試結(jié)束時,測試電壓應降到近零;然后再將電容器引線或端子從耐電壓測試設備的輸出端取下。
如果測試電壓不從近零逐漸提高而是直接施加在電容器上,則可能會出現(xiàn)浪涌電壓,從而導致故障.0V電壓正弦波,過零點是指電壓正弦通過0V的位置。
四、失效安全性
當電容器損壞時,失效可能會導致短路.為了避免在短路時引起觸電,冒煙,火災等危險情況,請在電路中使用熔絲等元件來設置自動防故障功能。
使用本產(chǎn)品時如忽略上述警告事項,則在嚴重情況下可能導致短路,并引起冒煙或局部離散。
comar電容器與comar單相電容器維護方便
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多層陶瓷電容器(mlcc)用納米稀土氧化物
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片式多層陶瓷電容器,簡稱mlcc,是目前用量最大、發(fā)展速度最快的片式元件之一,與傳統(tǒng)電容產(chǎn)品相比具有體積小、容量大、效率高、成本低等優(yōu)勢,廣泛應用于移動通信、計算機、汽車電子、主板、顯示器和平板電視¥0元/kg所在地:浙江杭州
杭州九朋新材料有限責任公司
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上海旦順實業(yè)有限公司