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薄膜測(cè)量?jī)x器 >> 薄膜在線監(jiān)測(cè)控制儀器 >> 薄膜厚度傳感器 產(chǎn)品編號(hào)：841432316產(chǎn)品名稱：薄膜厚度傳感器規(guī)　　格：產(chǎn)品備注：產(chǎn)品類別：薄膜測(cè)量?jī)x器    產(chǎn) 品 說(shuō) 明溫度漲落是晶體頻率漂移的最顯著的原因，用水冷卻的標(biāo)準(zhǔn)傳感器頭解決這個(gè)問(wèn)題并不管用。許多制造商建議把晶體的溫度保持在20°c左右，但他們的傳感器沒(méi)有測(cè)量溫度的手段。實(shí)際應(yīng)用已經(jīng)表明在高速率的沉積過(guò)程中，水制冷的標(biāo)準(zhǔn)傳感器在短短的10分鐘之內(nèi)會(huì)經(jīng)歷20°c的溫度偏差。在納米測(cè)量業(yè)界，這種差異程度毫無(wú)疑問(wèn)會(huì)導(dǎo)致厚度數(shù)據(jù)的不準(zhǔn)確；為此，我們?cè)O(shè)計(jì)并制造了 phoenix™ 薄膜厚度傳感器。 phoenix™ 薄膜厚度傳感器高效、簡(jiǎn)單且耐用，最佳化地用于eon-lt™基于電腦控制的監(jiān)測(cè)器和eon-id™ 薄膜生長(zhǎng)厚度控制儀(包括綜合顯示和軟件)，二者都含有溫度測(cè)量技術(shù)。熱電偶的溫度讀數(shù)精度增加到+/- 1°c之內(nèi)。. phoenix™ 薄膜厚度傳感器能夠隨著相應(yīng)的速率和厚度值自動(dòng)地用圖表來(lái)表示溫度和頻率，實(shí)時(shí)校正，并且精度達(dá)到0.001hz。phoenix™傳感器對(duì)該公司出品的rc™晶體是最佳化的，獨(dú)特地不受輻射峰值、薄膜應(yīng)力、薄膜冷凝和源輻射的影響。當(dāng)采用ht™晶體時(shí)，由于實(shí)施控制過(guò)程和/或反應(yīng)室條件，這個(gè)系統(tǒng)對(duì)原子層沉積(ald)系統(tǒng)是完美的；減少了原位測(cè)量取樣和廢棄的運(yùn)轉(zhuǎn)。此外，phoenix™傳感器在每個(gè)片子的薄膜沉積上實(shí)現(xiàn)了更大的精度，導(dǎo)致了良品率的增加，提高了薄膜質(zhì)量。 特點(diǎn)：● 單一版本的溫度測(cè)量石英晶體傳感頭● 嵌入式k型熱電偶● 設(shè)計(jì)為14mm直徑晶體，達(dá)到10mhz工作頻率● 適合于2.75conflat真空法蘭和kf-40 真空直線導(dǎo)入器，長(zhǎng)度75mm；定制尺寸，法蘭和彎管均有效，而且適用于無(wú)限長(zhǎng)度的可調(diào)性壓力接頭● 標(biāo)準(zhǔn)的sma對(duì)空連接晶體測(cè)量，與eon-id, eon-lt™或其它薄膜厚度監(jiān)控器和控制器兼容 技術(shù)參數(shù)：dimensionslength4” to 30” depending on customer requirementscross sectionable to be passed through a 2.75” conflat™ portordering informationphoenixtmstandard sensor with embedded thermocouple 應(yīng)用：● 原子層沉積 (ald)● 化學(xué)氣相沉積 (cvd)● 分子束外延 (mbe)● cigs (薄膜太陽(yáng)電池)● oled● 多層光學(xué)薄膜沉積