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SiC納米材料具有高的禁帶寬度,高的臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率,小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率,以及抗輻射能力強(qiáng),機(jī)械性能好等特性,成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。SiC 納米線表現(xiàn)出的室溫光致發(fā)光性,使其成為制造藍(lán)光發(fā)光二極管和激光二極管的理想材料。近年來(lái)的研究表明:微米級(jí)SiC晶須已被應(yīng)用于增強(qiáng)陶瓷基、金屬基和聚合物基復(fù)合材料,這些復(fù)合材料均表現(xiàn)出良好的機(jī)械性能,可以想象用強(qiáng)度硬度更高及長(zhǎng)徑比更大的SiC 一維納米材料作為復(fù)合材料的增強(qiáng)相,將會(huì)使其性能得到進(jìn)一步增強(qiáng)。SiC一維納米材料具有 閾值場(chǎng)強(qiáng)低,電流密度大,高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)異特點(diǎn)可望作為電場(chǎng)發(fā)射材料,利用這一特性可制成第三代新型電子光源,并將在圖像顯示技術(shù)方面發(fā)揮巨大作用。隨著研究的深入,研究者還發(fā)現(xiàn)一維SiC納米結(jié)構(gòu)在儲(chǔ)氫、光催化和傳感等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。

比表面積大,高表面活性,松裝密度低,具有極好的力學(xué),熱學(xué),電學(xué)和化學(xué)性能,即具有高硬度,高耐磨性和良好的自潤(rùn)滑,高熱傳導(dǎo)率,低熱膨脹系數(shù)及高溫強(qiáng)度大等特點(diǎn)◆ 性能特點(diǎn)

1、納米碳化硅粉體具有純度高、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點(diǎn);

2、本產(chǎn)品具有化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好等特點(diǎn);3、顯微硬度為2840~3320kg/mm2, 其硬度介于剛玉和金剛石之間, 機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉;

4、納米碳化硅具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,還是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。

1、制造結(jié)構(gòu)器件:如冶金,化工,機(jī)械,航天及能源等行業(yè)中使用的滑動(dòng)軸承,液體燃料噴嘴,坩堝,大功率高頻率模具,半導(dǎo)體元器件等。

2、金屬及其它材料表面處理: 刀具,模具,耐熱涂層,散熱表面涂層,防腐涂層及吸波涂層等。

3、復(fù)合材料: 制備金屬基,陶瓷基,高分子基復(fù)合材料。