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Intel第三代3D閃存固態(tài)盤(pán)曝光

圖中,Intel介紹,最左邊是2016年的第一代1TB 3D閃存SSD,中間是第二代,右邊是明年的第三代,顯然,他們分別代表2.5寸SATA3、M.2和BGA封裝

東芝全新UFS2.1閃存 具備900MB/s速度

速度方面，滿足UFS2.1標(biāo)準(zhǔn)，64GB的典型讀取速度900MB/s、寫(xiě)入速度180MB/s

東芝全球首發(fā)QLC閃存：壽命與TLC一樣耐用

QLC閃存由于采用了四比特設(shè)計(jì),每個(gè)單元內(nèi)都有多達(dá)16種不同的電壓狀態(tài),相比TLC又翻了一番,而且又不能把單元面積做的太大,因此控制難度急劇增大

韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

三星電子去年四季度在全球NAND閃存市場(chǎng)占有率為37.1%,排名第一,SK海力士以9.6%排名第五,東芝（18.3%）、西部數(shù)據(jù)（17.7%）和美光（10.6%）分別位列第二至第四

IBM發(fā)布“相變存儲(chǔ)”技術(shù)：比現(xiàn)有閃存快70倍

相變存儲(chǔ)技術(shù)結(jié)合了DRAM和閃存的優(yōu)點(diǎn)。DRAM的存取速度是相變存儲(chǔ)的5到10倍,但相變存儲(chǔ)的存取速度是閃存的約70倍

東芝計(jì)劃投資3600億日元建設(shè)3D閃存新廠房

為擴(kuò)大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn),東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區(qū)域建造新廠房以及引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會(huì)批準(zhǔn)

SanDisk發(fā)布200GB閃存卡